- Estándar No.
- SJ/T 2658.13-2015
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2015
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Ultima versión
-
SJ/T 2658.13-2015
- Reemplazar
-
SJ 2658.13-1986
- Alcance
- Esta parte especifica el diagrama del principio de medición, los pasos de medición y las condiciones específicas para el coeficiente de temperatura de la potencia de radiación de los diodos semiconductores emisores de infrarrojos (en adelante, denominados dispositivos). Esta sección se aplica a los diodos emisores de infrarrojos semiconductores.
SJ/T 2658.13-2015 Documento de referencia
- SJ/T 2658.1 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades
- SJ/T 2658.6 Método de medición para diodos emisores de infrarrojos semiconductores.Parte 6: Potencia radiante
SJ/T 2658.13-2015 Historia
- 2015 SJ/T 2658.13-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 13: Coeficiente de temperatura para la potencia radiante.
- 1970 SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida
SJ/T 2658.13-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 13: Coeficiente de temperatura para la potencia radiante. ha sido cambiado a SJ 2658.13-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para el coeficiente de temperatura de potencia óptica de salida.