GB/T 34898-2017
Tecnología de sistemas microelectromecánicos: método de prueba para la vibración no lineal del elemento sensible resonante MEMS (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 34898-2017
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2017
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 34898-2017
 

Alcance
Esta norma especifica el método de prueba para los parámetros característicos de vibración no lineal de elementos sensibles a la resonancia MEMS en sensores resonantes. Esta norma es aplicable a la prueba de las características de vibración no lineal y la desviación de frecuencia de los sistemas de circuito cerrado de componentes sensibles durante el proceso de desarrollo y producción de componentes sensibles. Se pueden utilizar otros componentes sensibles no MEMS como referencia.

GB/T 34898-2017 Documento de referencia

  • GB/T 2298 Vibración mecánica, choque y monitoreo de condición. Vocabulario
  • GB/T 26111 Terminología técnica de sistemas microelectromecánicos (MEMS)*2023-05-23 Actualizar

GB/T 34898-2017 Historia

  • 2017 GB/T 34898-2017 Tecnología de sistemas microelectromecánicos: método de prueba para la vibración no lineal del elemento sensible resonante MEMS
Tecnología de sistemas microelectromecánicos: método de prueba para la vibración no lineal del elemento sensible resonante MEMS

estándares y especificaciones

IEC 62047-44:2024 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 44: Métodos de prueba para el rendimiento dinámico de dispositivos MEMS sensibles JJF 1427-2013 Especificación de calibración para acelerómetros lineales MEMS JJF 1535-2015 Especificación de calibración para giroscopios MEMS BS IEC 62047-34:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: métodos de prueba para dispositivos piezorresistivos sensibles a la presión MEMS en oblea IEC 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada DS/EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada GSO IEC 62047-12:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada DIN EN 62047-28 E:2015-09 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 28: Métodos de prueba funcionales para dispositivos de recolección de energía DS/EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales BS IEC 62047-33:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: dispositivo piezorresistivo sensible a la presión MEMS



© 2025 Reservados todos los derechos.