MIL MIL-PRF-19500/639A-1998 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P TIPO 2N7411 JANSD Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/639)
El documento titulado "Semiconductor Devices Field Effect Radiation Hardened (Total Dose and Single Event Effects) Transistors P-Channel Silicon Type 2N7411 JANSD and JANSR (Replaces MIL-S-19500/639)" fue publicado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos. Este estándar, identificado como MIL-PRF-19500/639A-1998, fue lanzado el 24 de marzo de 1998. El documento establece las especificaciones para transistores de efecto de campo resistentes a la radiación, específicamente para los tipos P-Channel de silicio 2N7411, bajo las designaciones JANSD y JANSR, reemplazando el estándar anterior MIL-S-19500/639.
*** Tenga en cuenta: esta descripción puede no ser precisa; consulte la documentación oficial.
MIL MIL-PRF-19500/639A-1998 Historia
1998MIL MIL-PRF-19500/639A-1998 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL P TIPO 2N7411 JANSD Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-S-19500/639)
1996MIL MIL-PRF-19500/639-1996 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPO DE SILICIO DE CANAL P 2N7411 JANTXD, -R, JANTXVD, -R, Y JANSD, -R (S/S POR MIL-PRF-19500/639A )