MIL MIL-S-19500/335-1965
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN (TEMPERATURA ESTABLE) TIPO 1N430A, 1N430B

Estándar No.
MIL MIL-S-19500/335-1965
Fecha de publicación
1965
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Ultima versión
MIL MIL-S-19500/335-1965
 
Introducción

El documento fue publicado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos, específicamente como parte de los estándares MIL (Military Standards). Fue emitido el 28 de junio de 1965. El estándar en cuestión se titula "Dispositivos Semiconductores - Silicio - Referencia de Voltaje (Estable en Temperatura) Tipo 1N430A y 1N430B". Este estándar está identificado con el código MIL-S-19500/335-1965 y forma parte de una serie de especificaciones técnicas diseñadas para garantizar la calidad y uniformidad en los componentes electrónicos utilizados en aplicaciones militares.

MIL MIL-S-19500/335-1965 Historia

  • 1965 MIL MIL-S-19500/335-1965 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN (TEMPERATURA ESTABLE) TIPO 1N430A, 1N430B

Temas especiales sobre estándares y normas

Temperatura del componente semiconductor Dispositivos semiconductores y temperatura.

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/420M-2013 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554 MIL MIL-PRF-19500/420N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554 DANSK DS/EN IEC 60749-5:2024 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 5: Prueba de vida útil de polarización de humedad y temperatura MIL MIL-PRF-19500/158T-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN, COMPENSACIÓN DE TEMPERATURA, TIPOS 1N3154-1, HASTA 1N3157-1, Y 1N3154UR-1 HASTA 1N3157UR-1 MIL MIL-PRF-19500/158U-2019 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN, COMPENSACIÓN DE TEMPERATURA, TIPOS 1N3154-1, HASTA 1N3157-1, Y 1N3154UR-1 HASTA 1N3157UR-1 MIL MIL-PRF-19500/157U-2019 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN, COMPENSACIÓN DE TEMPERATURA, TIPOS 1N941B-1, 1N943B-1, 1N944B-1, 1N945B-1, 1N946B-1, 1N941BUR MIL MIL-PRF-19500/157T-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN, COMPENSACIÓN DE TEMPERATURA, TIPOS 1N941B-1, 1N943B-1, 1N944B-1, 1N945B-1, 1N946B-1, 1N941BUR MIL MIL-PRF-19500/159P-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN, COMPENSACIÓN DE TEMPERATURA, TIPOS 1N821-1, 1N823-1, 1N825-1, 1N827-1, Y 1N829-1, 1N821UR-1 JEITA EDR-4704A-2007 Guía de aplicación del test de vida acelerado para dispositivos semiconductores


© 2025 Reservados todos los derechos.