MIL MIL-PRF-19500/420M-2013
Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC

Estándar No.

MIL MIL-PRF-19500/420M-2013

Fecha de publicación

2013

Organización

Military Standards (MIL-STD)

Estado

ser reemplazado

Remplazado por

MIL MIL-PRF-19500/420N-2016

Ultima versión

MIL MIL-PRF-19500/420N-2016

Alcance

Esta especificación cubre los requisitos de rendimiento para diodos semiconductores de silicio de uso general. El diodo tiene una construcción de doble enchufe sin cavidad, con uniones metalúrgicas de alta temperatura (categoría 1) entre ambos lados de la matriz de silicio y las clavijas terminales. Se proporcionan cuatro niveles de garantía de producto (JAN, JANTX, JANTXV y JANS) para cada dispositivo encapsulado. Se proporcionan dos niveles de garantía de producto para cada tipo de dispositivo no encapsulado.

MIL MIL-PRF-19500/420M-2013 Historia

• 2016 MIL MIL-PRF-19500/420N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
• 2013 MIL MIL-PRF-19500/420M-2013 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
• 2010 MIL MIL-PRF-19500/420L-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420K)
• 2007 MIL MIL-PRF-19500/420K-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420J)
• 2006 MIL MIL-PRF-19500/420J-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420H)
• 2004 MIL MIL-PRF-19500/420H-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, ENERGÍA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC,JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE SEDING MIL-PRF- 19500/420G)(S/S POR MIL-PRF-...
• 2002 MIL MIL-PRF-19500/420G-2002 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA TIPOS 1N5550-1N5554, 1N5550US-1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANJ, JANS, JANHC y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420F) (S/S POR MIL-PRF -19500/420H)
• 2001 MIL MIL-PRF-19500/420F-2001 DISPOSITIVO SEMICODUCTOR DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE SILICIO RÁPIDO TIPOS DE USO GENERAL 1N5550 - 1N5554 1N5550US - 1N5554US JAN JANTX JANTXV JANJ JANS JANHC Y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420E) (S/S POR MIL-PRF-19500/420G)
• 1999 MIL MIL-PRF-19500/420E-1999 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, tipos de propósito general 1N5550 a 1N5554, 1N5550US a 1N55554US Jan, Jantx, Jantxv, JanJ, Jans, Janhc y Jankc (superpuesto MIL-PRF-19500/420F)

estándares y especificaciones