MIL MIL-PRF-19500/420J-2006
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420H)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/420J-2006
Fecha de publicación
2006
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/420K-2007
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/420N-2016
 

Introducción
El documento "Semiconductor Devices Diodes Silicon Power Rectifiers Types 1N5550 to 1N5554, 1N5550US to 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD, and JANKCE (Replaces MIL-PRF-19500/420H)" fue publicado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos el 8 de agosto de 2006. Este estándar, identificado como MIL-PRF-19500/420J-2006, detalla las especificaciones y requisitos para los diodos rectificadores de potencia de silicio, cubriendo una variedad de tipos y series. El documento sustituye a la versión anterior, MIL-PRF-19500/420H, y proporciona directrices actualizadas para la fabricación y el uso de estos componentes en aplicaciones militares y de alta confiabilidad.

MIL MIL-PRF-19500/420J-2006 Historia

  • 2016 MIL MIL-PRF-19500/420N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/420M-2013 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
  • 2010 MIL MIL-PRF-19500/420L-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420K)
  • 2007 MIL MIL-PRF-19500/420K-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420J)
  • 2006 MIL MIL-PRF-19500/420J-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420H)
  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/420H-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, ENERGÍA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC,JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE SEDING MIL-PRF- 19500/420G)(S/S POR MIL-PRF-...
  • 2002 MIL MIL-PRF-19500/420G-2002 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA TIPOS 1N5550-1N5554, 1N5550US-1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANJ, JANS, JANHC y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420F) (S/S POR MIL-PRF -19500/420H)
  • 2001 MIL MIL-PRF-19500/420F-2001 DISPOSITIVO SEMICODUCTOR DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE SILICIO RÁPIDO TIPOS DE USO GENERAL 1N5550 - 1N5554 1N5550US - 1N5554US JAN JANTX JANTXV JANJ JANS JANHC Y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420E) (S/S POR MIL-PRF-19500/420G)
  • 1999 MIL MIL-PRF-19500/420E-1999 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, tipos de propósito general 1N5550 a 1N5554, 1N5550US a 1N55554US Jan, Jantx, Jantxv, JanJ, Jans, Janhc y Jankc (superpuesto MIL-PRF-19500/420F)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/478L-2017 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA, TIPOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA 1N5812, 1N5814, 1N5816 Y VERSIONES R JAN, JANTX, JANTXV, JANHC MIL MIL-PRF-19500/435P-2018 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial MIL MIL-PRF-19500/435R-2020 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de voltaje de bajo ruido, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante de cable axial MIL MIL-PRF-19500/463L-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE MIL MIL-PRF-19500/463K-2014 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE MIL MIL-PRF-19500/463J-2012 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, regulador de corriente, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante) y no encapsulado (DIE MIL MIL-PRF-19500/534J-2019 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Potencia, Tipos 2N5002 y 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG MIL MIL-PRF-19500/535G-2019 Transistor, PNP, silicio, potencia, orificio pasante, tipos 2N5003 y 2N5005, niveles de calidad JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC MIL MIL-PRF-19500/357P-2020 Transistor, PNP, endurecido por radiación, silicio, amplificador, tipos 2N3634 a 2N3637, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC



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