MIL MIL-PRF-19500/420F-2001
DISPOSITIVO SEMICODUCTOR DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE SILICIO RÁPIDO TIPOS DE USO GENERAL 1N5550 - 1N5554 1N5550US - 1N5554US JAN JANTX JANTXV JANJ JANS JANHC Y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420E) (S/S POR MIL-PRF-19500/420G)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/420F-2001
Fecha de publicación
2001
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/420G-2002
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/420N-2016
 
Introducción
El documento "Semiconductor Devices Diodes Silicon Power Rectifiers Fast Recovery General Purpose Types 1N5550 1N5554 1N5550US 1N5554US JAN JANTX JANTXV JANJ JANS JANHC y JANKC (Reemplaza MIL-PRF-19500/420E) (S/S POR MIL-PRF-19500/420G)" fue publicado por el Departamento de Defensa de los Estados Unidos el 9 de octubre de 2001. Este estándar, identificado como MIL-PRF-19500/420F-2001, establece las especificaciones para diodos rectificadores de potencia de silicio de recuperación rápida, incluyendo diversos tipos como 1N5550, 1N5554, y sus variantes con designaciones JAN, JANTX, JANTXV, JANJ, JANS, JANHC y JANKC. Este documento reemplaza la versión anterior MIL-PRF-19500/420E y es sustituido posteriormente por MIL-PRF-19500/420G.

MIL MIL-PRF-19500/420F-2001 Historia

  • 2016 MIL MIL-PRF-19500/420N-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
  • 2013 MIL MIL-PRF-19500/420M-2013 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, encapsulado (paquetes de montaje en superficie y orificio pasante), tipos 1N5550 a 1N5554, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC
  • 2010 MIL MIL-PRF-19500/420L-2010 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420K)
  • 2007 MIL MIL-PRF-19500/420K-2007 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420J)
  • 2006 MIL MIL-PRF-19500/420J-2006 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, POTENCIA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE (SUPER SEDING MIL-PRF- 19500/420H)
  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/420H-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, ENERGÍA, RECTIFICADOR, TIPOS 1N5550 HASTA 1N5554, 1N5550US HASTA 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC,JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD Y JANKCE SEDING MIL-PRF- 19500/420G)(S/S POR MIL-PRF-...
  • 2002 MIL MIL-PRF-19500/420G-2002 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA TIPOS 1N5550-1N5554, 1N5550US-1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANJ, JANS, JANHC y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420F) (S/S POR MIL-PRF -19500/420H)
  • 2001 MIL MIL-PRF-19500/420F-2001 DISPOSITIVO SEMICODUCTOR DIODO RECTIFICADOR DE POTENCIA DE SILICIO RÁPIDO TIPOS DE USO GENERAL 1N5550 - 1N5554 1N5550US - 1N5554US JAN JANTX JANTXV JANJ JANS JANHC Y JANKC (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/420E) (S/S POR MIL-PRF-19500/420G)
  • 1999 MIL MIL-PRF-19500/420E-1999 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, potencia, rectificador, tipos de propósito general 1N5550 a 1N5554, 1N5550US a 1N55554US Jan, Jantx, Jantxv, JanJ, Jans, Janhc y Jankc (superpuesto MIL-PRF-19500/420F)

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/478L-2017 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, RECTIFICADOR DE POTENCIA, TIPOS DE RECUPERACIÓN RÁPIDA 1N5812, 1N5814, 1N5816 Y VERSIONES R JAN, JANTX, JANTXV, JANHC MIL MIL-PRF-19500/477M-2019 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/534J-2019 Dispositivo semiconductor, Transistor, NPN, Silicio, Potencia, Tipos 2N5002 y 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG MIL MIL-PRF-19500/735C-2020 Diodo, silicio, Schottky, doble, derivación central, tipo 1N7041CCU1 y diodo único tipo 1N7045T3, JAN, JANTX, JANTXV y JANS MIL MIL-PRF-19500/535G-2019 Transistor, PNP, silicio, potencia, orificio pasante, tipos 2N5003 y 2N5005, niveles de calidad JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC MIL MIL-PRF-19500/477K-2012 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/477L-2016 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, recuperación ultrarrápida, rectificador de potencia, tipos 1N5802, 1N5804, 1N5806, 1N5807, 1N5809 y 1N5811, JAN MIL MIL-PRF-19500/763B-2020 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, doble, Schottky, cátodo común, encapsulado (agujero pasante), tipo 1N7070CC, JAN, JANTX, JANTXV y JANS MIL MIL-PRF-19500/374G-2020 Transistor, NPN, silicio, potencia, tipos 2N3996 a 2N3999, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC y JANKC


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