MIL MIL-PRF-19500/638A-1998
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPO DE SILICIO 2N7410 JANSD Y JANSR (SUPERDIENTE A MIL-S-19500/638) (S/S POR MIL-PRF-19500/638B)

Estándar No.
MIL MIL-PRF-19500/638A-1998
Fecha de publicación
1998
Organización
Military Standards (MIL-STD)
Estado
Remplazado por
MIL MIL-PRF-19500/638B-2004
Ultima versión
MIL MIL-PRF-19500/638B-2004
 
Introducción

El estándar MIL-PRF-19500/638A-1998, publicado el 24 de marzo de 1998, especifica los requisitos para los transistores de efecto de campo (FET) de tipo N de silicio resistentes a la radiación, tanto en términos de dosis total como de efectos de partículas individuales. Este documento reemplaza al anterior MIL-S-19500/638 y se aplica a los dispositivos semiconductores designados como 2N7410 JANSD y JANSR. El estándar garantiza que estos componentes cumplan con los rigurosos requisitos necesarios para operar en entornos expuestos a radiación, como los encontrados en aplicaciones militares y espaciales.

MIL MIL-PRF-19500/638A-1998 Historia

  • 2004 MIL MIL-PRF-19500/638B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), SILICIO DE CANAL N, TIPO 2N7410, JANSD Y JANSR (SUPERDIENDO A MIL-PRF-19500/638A)
  • 1998 MIL MIL-PRF-19500/638A-1998 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N, TIPO DE SILICIO 2N7410 JANSD Y JANSR (SUPERDIENTE A MIL-S-19500/638) (S/S POR MIL-PRF-19500/638B)
  • 1996 MIL MIL-PRF-19500/638-1996 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR ENDURECIDO POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPO DE SILICIO DE CANAL N 2N7410 JANTXD, -R, JANTXVD, -R, Y JANSD, -R (S/S POR MIL-PRF-19500/638A )

estándares y especificaciones

MIL MIL-PRF-19500/741B-2018 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/683-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F,G MIL MIL-PRF-19500/684A-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/683B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE UN SOLO EVENTO) TIPO 2N7467U2, JANTXVR, F, G MIL MIL-PRF-19500/684-2000 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/684B-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, EFECTO DE CAMPO, SILICIO, CANAL N, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO), TIPOS 2N7472U2 MIL MIL-PRF-19500/741A-2009 Dispositivo semiconductor, efecto de campo, matriz de transistor endurecida por radiación (dosis total y efectos de evento único), canal N y canal P, silicio MIL MIL-PRF-19500/752A-2017 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, canal N, endurecido por radiación (dosis total y efectos de evento único), silicio de nivel lógico MIL MIL-S-19500/605-1992 DISPOSITIVO SIMICOCONDUCTOR, TRANSISTORES ENDURECIDOS POR RADIACIÓN DE EFECTO DE CAMPO (SÓLO DOSIS TOTAL), CANAL N, TIPOS DE SILICIO 2N7292, 2N72964, 2N7296


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