El documento MIL-PRF-19500/638B-2004, publicado el 7 de mayo de 2004, establece los requisitos de estandarización para los dispositivos semiconductores, específicamente los transistores de efecto de campo (FET) de tipo N, resistentes a la radiación (dosis total y efectos de partículas únicas), fabricados en silicio, modelo 2N7410, bajo las designaciones JANSD y JANSR. Este estándar reemplaza la versión anterior MIL-PRF-19500/638A.
Los transistores 2N7410 están diseñados para operar en entornos donde la exposición a la radiación es un factor crítico, como en aplicaciones espaciales y militares. El estándar define las características eléctricas, mecánicas y de rendimiento que deben cumplir estos dispositivos para garantizar su fiabilidad y funcionalidad en condiciones extremas. Además, se especifican los métodos de prueba y los procedimientos de inspección necesarios para verificar el cumplimiento de los requisitos establecidos.
La implementación de este estándar asegura que los transistores 2N7410 cumplan con los rigurosos requisitos de calidad y durabilidad necesarios para su uso en sistemas críticos, proporcionando así un alto nivel de confianza en su desempeño en aplicaciones donde la resistencia a la radiación es esencial.
*** Tenga en cuenta: esta descripción puede no ser precisa; consulte la documentación oficial.
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