GB/T 43493.3-2023
Ensayos no destructivos y criterios de identificación de defectos en obleas homoepitaxiales de carburo de silicio para dispositivos de potencia de dispositivos semiconductores Parte 3: Método de detección de defectos por fotoluminiscencia (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 43493.3-2023
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2023
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 43493.3-2023
 
Introducción
Este documento proporciona criterios para la detección no destructiva de defectos en wafers de silicio carburo (SiC) utilizados en dispositivos de potencia semiconductores, con énfasis en el método de luminescencia inducida por luz. La norma es parte de una serie que aborda diferentes aspectos de la calidad y evaluación de estos wafers cruciales para la fabricación de componentes electrónicos avanzados.

GB/T 43493.3-2023 Historia

  • 2023 GB/T 43493.3-2023 Ensayos no destructivos y criterios de identificación de defectos en obleas homoepitaxiales de carburo de silicio para dispositivos de potencia de dispositivos semiconductores Parte 3: Método de detección de defectos por fotoluminiscencia

Temas especiales sobre estándares y normas

Detección de defectos internos de piezas fundidas. Defectos anormales de calidad de los semiconductores. Desventajas de los métodos de detección de electroluminiscencia.

estándares y especificaciones

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