GB/T 43493.2-2023 Ensayos no destructivos y criterios de identificación de defectos en obleas homoepitaxiales de carburo de silicio para dispositivos de potencia de dispositivos semiconductores Parte 2: Método de detección óptica de defectos (Versión en inglés)
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 43493.2-2023
Introducción
Esta norma proporciona criterios para la identificación y evaluación no destructiva de defectos en wafers de SiC utilizados en dispositivos de potencia a nivel industrial. La segunda parte específica del documento se centra en métodos ópticos para la detección de dichos defectos, brindando directrices detalladas para su aplicación práctica.
*** Tenga en cuenta: esta descripción puede no ser precisa; consulte la documentación oficial.
GB/T 43493.2-2023 Historia
2023GB/T 43493.2-2023 Ensayos no destructivos y criterios de identificación de defectos en obleas homoepitaxiales de carburo de silicio para dispositivos de potencia de dispositivos semiconductores Parte 2: Método de detección óptica de defectos