CSN 35 8740-1973
Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de voltaje de saturación.

Estándar No.
CSN 35 8740-1973
Fecha de publicación
1973
Organización
CZ-CSN
Estado
Remplazado por
CSN 35 8740-1985
Ultima versión
CSN 35 8740-1985
 
Alcance
Procesador: Tesla Ro?nov, empresa nacional, Ro?nov pod Radho?těm, responsable? trabajador—Ing. Václav Sehnalík. Empleado del equipo de estandarización y medición: Ing. Viktor Kotrubenko

CSN 35 8740-1973 Historia

  • 1985 CSN 35 8740-1985 Transistores. Métodos de medición del voltaje de saturación.
  • 1973 CSN 35 8740-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de voltaje de saturación.

Temas especiales sobre estándares y normas

Tensión de ruptura del dispositivo semiconductor Tensión de ruptura de dispositivos semiconductores. Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

estándares y especificaciones

CNS 8104-1981 Método para medir el voltaje de umbral lineal MOSFET CNS 8106-1981 Método para medir el voltaje umbral saturado de MOSFET PN T01504-02-1987 Transistores Métodos de medición Tensión de saturación colector-emisor ?/C?-sat y tensión de saturación base-emisor UBEat PD IEC TS 62607-6-16:2022 UL 1557-2006 Norma UL para seguridad de dispositivos semiconductores aislados eléctricamente, cuarta edición; Reimpresión con revisiones hasta el 26/06/2006 inclusive IEC 60747-7:2010+AMD1:2019 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 7: Transistores bipolares IEC 60147-1:1963 Clasificaciones y características esenciales de los dispositivos semiconductores y principios generales de los métodos de medición. Parte 1: Clasificaciones IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 8: Transistores de efecto de campo IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET


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