Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

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En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor son: Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Centrales eléctricas en general, Materiales aislantes.

Gosstandart of Russia, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• GOST 18986.24-1983 Diodos semiconductores. Método de medición del voltaje de ruptura.

Professional Standard - Electron, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
• SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
• SJ 2215.7-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fotoacopladores semiconductores (diodos)
• SJ 2214.6-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fototransistores semiconductores

CZ-CSN, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• CSN 34 7171-1965 Prueba de tensión de ruptura. Cables. Conductores para bobinado
• CSN 35 8763-1973 Dispositivos semiconductores. Diodos. ¿Medida o? tensión de ruptura inversa
• CSN 35 8740-1973 Dispositivos semiconductores. transistor. Medición de voltaje de saturación.

Comitato Elettrotecnico Italiano, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• CEI EN 62374:2009 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• CEI EN 62374-1:2012 Dispositivos semiconductores Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• CEI EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores: interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Recolección de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores.
• CEI EN 62415:2011 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante

German Institute for Standardization, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• DIN EN 62374:2008-02 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta (IEC 62374:2007); Versión alemana EN 62374:2007
• DIN EN 62374-1:2011-06 Dispositivos semiconductores. Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (IEC 62374-1:2010); Versión alemana EN 62374-1:2010 + AC:2011
• DIN EN 62374:2008 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta (IEC 62374:2007); Versión alemana EN 62374:2007
• DIN EN 62415:2010-12 Dispositivos semiconductores - Prueba de electromigración de corriente constante (IEC 62415:2010); Versión alemana EN 62415:2010

GSO, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• GSO IEC 62374:2014 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• BH GSO IEC 62374:2016 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• OS GSO IEC 62374:2014 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• OS GSO IEC 62374-1:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• GSO IEC 62374-1:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas

Association Francaise de Normalisation, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• NF EN 62374:2008 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• NF EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• NF C96-017*NF EN 62374:2008 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• NF EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Recolección de energía de choque piezoeléctrico para sensores automotrices.
• NF C96-017-1*NF EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas.
• NF EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante

Danish Standards Foundation, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• DANSK DS/EN 62374-1/AC:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• DANSK DS/EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• DS/EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• DS/EN 62374-1/AC:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• DANSK DS/EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores – Interfaz semiconductora para vehículos automotores – Parte 3: Recolección de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores
• DS/EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante
• DANSK DS/EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante

Spanish Association for Standardization (UNE), Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• UNE-EN 62374-1:2010 Dispositivos semiconductores -- Parte 1: Ensayo de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (Ratificada por AENOR en marzo de 2011.)
• UNE-EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores - Interfaz semiconductora para vehículos automotores - Parte 3: Captación de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en agosto de 2018.)
• UNE-EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayo de electromigración en corriente constante (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)

Lithuanian Standards Office , Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• LST EN 62374-2008 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta (IEC 62374:2007)
• LST EN 62374-1-2011 Dispositivos semiconductores. Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (IEC 62374-1:2010)
• LST EN 62374-1-2011/AC-2011 Dispositivos semiconductores. Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas (IEC 62374-1:2010)

British Standards Institution (BSI), Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• BS EN 62374-1:2010(2011) Dispositivos semiconductores Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• BS IEC 60747-14-3:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos semiconductores. Sensores semiconductores-Sensores de presión
• BS EN IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz de semiconductores para vehículos automotores: recolección de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotrices
• BS IEC 62047-34:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: métodos de prueba para dispositivos piezorresistivos sensibles a la presión MEMS en oblea
• BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
• BS IEC 62830-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos piezoeléctricos flexibles de recolección de energía.

International Electrotechnical Commission (IEC), Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• IEC 62374:2007 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta
• IEC 62374-1:2010 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas
• IEC 62969-3:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para vehículos automotores. Parte 3: Captación de energía piezoeléctrica impulsada por choque para sensores de vehículos automotores.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• EN 62374:2007 Dispositivos semiconductores: prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para películas dieléctricas de puerta

SCC, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• 07/30171395 DC BS EN 62374-1. Dispositivos semiconductores. Parte 1. Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas

Professional Standard - Energy and Power Planning, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• DL/T 418-1991 Determinación de la tensión de ruptura del impulso del rayo de líquidos aislantes.
• DL 418-1991 Método para determinar la tensión de ruptura del líquido aislante por impacto de truenos y relámpagos.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• EN 62415:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de electromigración de corriente constante

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Prueba de tensión de ruptura de dispositivo semiconductor

• GB/T 21222-2007 Métodos para la determinación de la tensión de ruptura por impulso de rayo de líquidos aislantes.