GSO IEC 62374-1:2013
Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas

Estándar No.
GSO IEC 62374-1:2013
Fecha de publicación
2013
Organización
GCC Standardization Organization
Ultima versión
GSO IEC 62374-1:2013
 
Alcance
IEC 62374-1:2010 describe un método de prueba, una estructura de prueba y un método de estimación de la vida útil de la prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas aplicadas en dispositivos semiconductores.

GSO IEC 62374-1:2013 Historia

  • 2013 GSO IEC 62374-1:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas

estándares y especificaciones

IEC 62374-1:2010 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas DS/EN 62374-1/AC:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas DS/EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas DANSK DS/EN 62374-1:2011 semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas CEI EN 62374-1:2012 Dispositivos semiconductores Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas OS GSO IEC 62374-1:2013 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas NF EN 62374-1:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas BS EN 62374-1:2010(2011 Dispositivos semiconductores Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas DANSK DS/EN 62374-1/AC:2011 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Prueba de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) para capas intermetálicas


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