PN T01505 ArkusZ02-1974
Transistores de efecto de campo Método de medición Ugs de voltaje umbral de fuente de gas (TO)

Estándar No.: PN T01505 ArkusZ02-1974
Fecha de publicación: 1974
Organización: PL-PKN
Ultima versión: PN T01505 ArkusZ02-1974

PN T01505 ArkusZ02-1974 Historia

1974 PN T01505 ArkusZ02-1974 Transistores de efecto de campo Método de medición Ugs de voltaje umbral de fuente de gas (TO)

Temas especiales sobre estándares y normas

Método de prueba de valor crítico Método de prueba de valor crítico Método de prueba de valor crítico

estándares y especificaciones

PN T01505-03-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta PN T01505-04-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss GOST 20398.7-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de tensión umbral y de corte DANSK DS/EN IEC 62819:2023 Trabajo en vivo – Protectores de ojos, cara y cabeza contra los efectos del arco eléctrico – Requisitos de desempeño y métodos de prueba BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo GSO IEC 63275-1:2024 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET BS EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET DS/EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET

© 2025 Reservados todos los derechos.