PN T01505-04-1987
Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss

Estándar No.
PN T01505-04-1987
Fecha de publicación
1987
Organización
PL-PKN
Ultima versión
PN T01505-04-1987
 
Alcance
El objeto de la norma es un método para medir las corrientes de puerta Igso e Igss para un voltaje de puerta específico Ugs y un voltaje de fuente de drenaje Uds - 0 para transistores de efecto de campo de tipo A, B y C.

PN T01505-04-1987 Historia

  • 1987 PN T01505-04-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss

Temas especiales sobre estándares y normas

La diferencia entre corriente de contacto y corriente de fuga.

estándares y especificaciones

GOST 20398.6-1974 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de corriente de fuga de puerta SJ 20231-1993 Reglamento de verificación del probador FET Yfs de doble puerta KDK SJ 20232-1993 Reglamento de verificación del probador FET Gp de doble puerta KDK GOST 20398.12-1980 Transistores de efecto de campo. Técnica de medición de corriente residual de drenaje GOST 20398.8-1974 Transistores de efecto de campo. Corriente de drenaje para técnica de medición V(Gs)=0 ASTM F769M-95 Método de prueba para medir la corriente de fuga de transistores y diodos (métrico ASTM F528-99 Método de prueba estándar para medir la ganancia de corriente CC del emisor común de transistores de unión GJB 128B-2021 Métodos de prueba de dispositivos semiconductores discretos GOST IEC 61000-4-16-2023 Compatibilidad electromagnética. Parte 4-16: Técnicas de prueba y medición. Se realizaron pruebas de inmunidad en modo común en el rango de frecuencia de 0 Hz ASTM F616M-96 Método de prueba estándar para medir la corriente de fuga de drenaje MOSFET (métrico

PN T01505-04-1987 - todas las partes

PN T01505-03-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta en cortocircuito a la fuente. idss PN T01505-13-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss PN T01505-15-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia del transmisor directo de cortocircuito yi\s y transconductancia directa de cortocircuito en gms de fuente común PN T01505-16-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de entrada de cortocircuito en fuente común CnM PN T01505-17-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de salida de cortocircuito en fuente común C22SS PN T01505-18-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de transferencia inversa de fuente común con entrada en cortocircuito Cl2j.s PN T01505-19-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Factor de ruido F y tensión de ruido de entrada equivalente U?


© 2025 Reservados todos los derechos.