PN T01505-03-1987
Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta en cortocircuito a la fuente. idss

Estándar No.
PN T01505-03-1987
Fecha de publicación
1987
Organización
PL-PKN
Ultima versión
PN T01505-03-1987
Alcance
El tema de la norma es un método para medir la corriente de drenaje Idsx en un voltaje de puerta-fuente específico Ugs y la corriente de drenaje Idss en UGs = 0 para transistores de efecto de campo de tipo A, B y C.

PN T01505-03-1987 Historia

  • 1987 PN T01505-03-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de drenaje, a un voltaje puerta-fuente especificado Idsx y corriente de drenaje, con la puerta en cortocircuito a la fuente. idss

PN T01505-03-1987 - Все части

PN T01505-04-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Corriente de corte de puerta Iaso y corriente de fuga de puerta Igss PN T01505-13-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss PN T01505-15-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia del transmisor directo de cortocircuito yi\s y transconductancia directa de cortocircuito en gms de fuente común PN T01505-16-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de entrada de cortocircuito en fuente común CnM PN T01505-17-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de salida de cortocircuito en fuente común C22SS PN T01505-18-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Capacitancia de transferencia inversa de fuente común con entrada en cortocircuito Cl2j.s PN T01505-19-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Factor de ruido F y tensión de ruido de entrada equivalente U?


© 2023 Reservados todos los derechos.