PN T01505-13-1987
Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss

Estándar No.
PN T01505-13-1987
Fecha de publicación
1987
Organización
PL-PKN
Ultima versión
PN T01505-13-1987
Alcance
El tema de la norma es el método de medición de la admitancia de salida de cortocircuito y^s y el método de medición de la conductancia de salida g0Ss en un sistema de fuente común para transistores de efecto de campo tipo A, B, C.

PN T01505-13-1987 Historia

  • 1987 PN T01505-13-1987 Transistores de efecto de campo Método de medición Admitancia de salida de cortocircuito y?is y conductancia de salida de cortocircuito en fuente común goss

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