GB/T 29504-2013
Silicio monocristalino de 300 mm. (Versión en inglés)

Estándar No.
GB/T 29504-2013
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2013
Organización
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión
GB/T 29504-2013
Alcance
Esta norma especifica los requisitos técnicos, métodos de prueba, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte, almacenamiento, etc. Esta norma se aplica a monocristales de silicio preparados por el método Czochralski y se utiliza principalmente para producir obleas pulidas de monocristal de silicio de 300 mm que Cumple con los requisitos técnicos de los circuitos integrados IC con un ancho de línea de 0,13 µm o menos.

GB/T 29504-2013 Documento de referencia

  • GB/T 11073-2007 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
  • GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
  • GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*2018-12-28 Actualizar
  • GB/T 1551-2009 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristal.
  • GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
  • GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*2023-08-06 Actualizar
  • GB/T 1557 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.*2018-09-17 Actualizar
  • GB/T 1558 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
  • YS/T 679 Método de fotovoltaje de superficie para medir la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos*2018-10-22 Actualizar

GB/T 29504-2013 Historia




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