SJ/T 11491-2015
Métodos de prueba para medir el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante espectrometría de absorción infrarroja de línea de base corta (Versión en inglés)

Estándar No.
SJ/T 11491-2015
Idiomas
Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación
2015
Organización
Professional Standard - Electron
Ultima versión
SJ/T 11491-2015
 

Alcance
Esta norma especifica la determinación del contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante espectroscopia infrarroja de línea de base corta. Este estándar es adecuado para medir el contenido de oxígeno intersticial en monocristales de silicio tipo n y monocristales de silicio tipo p con baja resistividad utilizando el método de absorción infrarroja de línea de base corta a temperatura ambiente. Una prueba que mide el contenido de oxígeno en el rango efectivo desde 1 × 10 at · cm hasta la máxima solubilidad sólida del oxígeno intersticial en monocristales de silicio.

SJ/T 11491-2015 Historia

  • 2015 SJ/T 11491-2015 Métodos de prueba para medir el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante espectrometría de absorción infrarroja de línea de base corta
Métodos de prueba para medir el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante espectrometría de absorción infrarroja de línea de base corta

Temas especiales sobre estándares y normas

estándares y especificaciones

ASTM F1188-00 Método de prueba estándar para el contenido de oxígeno atómico intersticial del silicio mediante absorción infrarroja ASTM F951-02 Método de ensayo para determinar la variación del contenido de oxígeno en la dirección radial de obleas de silicio ASTM F121-83e1 Método de prueba estándar para el contenido de oxígeno intersticial en silicio monocristalino por absorción infrarroja ASTM F1366-92(1997)e1 Método de prueba estándar para medir la concentración de oxígeno en sustratos de silicio fuertemente dopados mediante espectrometría de masas de iones ASTM F1188-02 Método de prueba estándar para el contenido de oxígeno atómico intersticial del silicio mediante absorción infrarroja con línea base corta DIN 50438-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en el silicio mediante absorción infrarroja. Parte 1: Oxígeno ASTM F1366-92(2002 Método de prueba estándar para la concentración de oxígeno en sustratos de silicio altamente dopados mediante espectrometría de masas de iones secundarios ASTM F951-96 Método de prueba estándar para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en obleas de silicio ASTM F951-01 Método de prueba estándar para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en obleas de silicio ASTM F1189-88 Medición del contenido de oxígeno intersticial en obleas de silicio pulidas por ambas caras mediante espectroscopia infrarroja asistida por computadora



© 2025 Reservados todos los derechos.