- Estándar No.
- SJ/T 2658.9-2015
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2015
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Ultima versión
-
SJ/T 2658.9-2015
- Reemplazar
-
SJ 2658.9-1986
- Alcance
- Esta parte especifica el diagrama del principio de medición, los pasos de medición y las condiciones específicas para la distribución espacial y el ángulo de intensidad media de la intensidad de radiación de los diodos emisores de infrarrojos semiconductores (en lo sucesivo, dispositivos). Esta sección se aplica a los diodos emisores de infrarrojos semiconductores.
SJ/T 2658.9-2015 Documento de referencia
- CIE 127-1997 Medición de LED
- GB/T 15651-1995 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos
- GB/T 2900.65-2004 Terminología electrotécnica-Iluminación
- SJ/T 2658.1 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 1: Generalidades
- SJ/T 2658.8 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos.Parte 8: Intensidad radiante
SJ/T 2658.9-2015 Historia
- 2015 SJ/T 2658.9-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 9: Distribución espacial de la intensidad radiante y el ángulo de media intensidad.
- 1970 SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media
SJ/T 2658.9-2015 Método de medición para diodos semiconductores emisores de infrarrojos. Parte 9: Distribución espacial de la intensidad radiante y el ángulo de media intensidad. ha sido cambiado a SJ 2658.9-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la distribución espacial de intensidad y el ángulo de radiación de intensidad media.