IEC 63068-1:2019
Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Parte 1: Clasificación de defectos.
- Estándar No.
- IEC 63068-1:2019
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- International Electrotechnical Commission (IEC)
- Ultima versión
- IEC 63068-1:2019
- Alcance
- Esta parte de la norma IEC 63068 clasifica los defectos en capas epitaxiales de 4H-SiC (carburo de silicio) en estado bruto. Los defectos se clasifican según sus estructuras cristalográficas y se reconocen mediante métodos de detección no destructivos, como la microscopía óptica (OM) de campo claro, la fotoluminiscencia (PL) y la topografía de rayos X (XRT).
IEC 63068-1:2019 Historia
- 2019 IEC 63068-1:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Parte 1: Clasificación de defectos.
Temas especiales sobre estándares y normas
estándares y especificaciones
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