BS IEC 63068-1:2019
Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Clasificación de defectos

Estándar No.: BS IEC 63068-1:2019
Fecha de publicación: 2019
Organización: British Standards Institution (BSI)
Ultima versión: BS IEC 63068-1:2019

Alcance: ¿De qué trata BS IEC 63068-1: oblea homoepitaxial de carburo de silicio? BS IEC 63068-1 es la primera parte de una norma internacional utilizada para dispositivos semiconductores que ayuda a clasificar los defectos en el carburo de silicio homoepitaxial. Al utilizar BS IEC 63068-1, puede fabricar dispositivos semiconductores de buena calidad. BS IEC 63068-1 proporciona una clasificación de defectos en capas epitaxiales de 4H-SiC (carburo de silicio) en crecimiento. Los defectos se clasifican en función de sus estructuras cristalográficas y se reconocen mediante métodos de detección no destructivos que incluyen imágenes de campo brillante OM (microscopía óptica), PL (fotoluminiscencia) y XRT (topografía de rayos X). ¿A quién está dirigida la norma BS IEC 63068-1: oblea homoepitaxial de carburo de silicio? BS IEC 63068-1 sobre criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio útil para:

BS IEC 63068-1:2019 Historia

2019 BS IEC 63068-1:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Clasificación de defectos

Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia - Clasificación de defectos

Temas especiales sobre estándares y normas

defectos de carburo de silicio Defectos anormales de calidad de los semiconductores.

estándares y especificaciones

BS IEC 63068-2:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia BS IEC 63068-3:2020 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia IEC 63068-1:2019 semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Parte 1: Clasificación de defectos. IEC 63068-2:2019 Dispositivos semiconductores. Criterios de reconocimiento no destructivo de defectos en oblea homoepitaxial de carburo de silicio para dispositivos de potencia GJB 5914-2006 Métodos de análisis físico destructivo para dispositivos semiconductores militares de todo tipo de calidad ISO 21820:2021 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba de imagen de fotoluminiscencia ultravioleta para analizar politipos de cristales ASTM F951-96 Método de prueba estándar para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en obleas de silicio ASTM F951-01 Método de prueba estándar para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en obleas de silicio ASTM F951-02 Método de ensayo para determinar la variación del contenido de oxígeno en la dirección radial de obleas de silicio

© 2025 Reservados todos los derechos.