GB/T 41325-2022
Obleas de silicio monocristalino pulidas con origen cristalino de baja densidad para circuitos integrados (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 41325-2022
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2022
- Organización
- 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
- Ultima versión
- GB/T 41325-2022
- Alcance
- Este documento especifica los requisitos técnicos, los métodos de prueba, las reglas de inspección, el embalaje, el marcado, el transporte, el almacenamiento, los documentos adjuntos y el formulario de pedido para las obleas pulidas de monocristal de silicio de fosa primaria de cristal de baja densidad (en adelante, obleas pulidas de bajo COP). Este documento es aplicable a obleas pulidas de bajo COP con un diámetro de 200 mm y 300 mm, una orientación de cristal y una resistividad de 0,1 Ω·cm~100 Ω·cm para circuitos integrados sensibles a las picaduras de cristal.
GB/T 41325-2022 Documento de referencia
- GB/T 12962 monocristal de silicio
- GB/T 12965 Silicio monocristalino en forma de obleas cortadas y obleas lapeadas
- GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
- GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
- GB/T 19921 Método de prueba para partículas en superficies de obleas de silicio pulidas.
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- GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
- YS/T 28 Envasado de obleas
- YS/T 679 Método de fotovoltaje de superficie para medir la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos
GB/T 41325-2022 Historia
- 2022 GB/T 41325-2022 Obleas de silicio monocristalino pulidas con origen cristalino de baja densidad para circuitos integrados
