ASTM F980M-96 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio [métrico]
1.1 Esta guía define los requisitos y procedimientos para probar dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados de silicio para detectar efectos de recocido rápido por daños por desplazamiento resultantes de la radiación de neutrones. Esta prueba producirá degradación de las propiedades eléctricas de los dispositivos irradiados y debe considerarse una prueba destructiva. El recocido rápido del daño por desplazamiento generalmente se asocia con tecnologías bipolares. 1.2 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hubiera, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
ASTM F980M-96 Historia
2016ASTM F980-16 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
2010ASTM F980-10e1 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
2010ASTM F980-10 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio
1996ASTM F980M-96(2003) Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio [métrico]
1996ASTM F980M-96 Guía estándar para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio [métrico]
1992ASTM F980-92 Guía para la medición del recocido rápido de daños por desplazamiento inducido por neutrones en dispositivos semiconductores de silicio