GB/T 26065-2010
Especificación para obleas de silicio de prueba pulidas (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 26065-2010

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2011

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Ultima versión

GB/T 26065-2010

Alcance

1. Esta norma especifica los requisitos técnicos para las piezas de prueba de monocristal de silicio utilizadas para la inspección y el control de procesos en la fabricación de dispositivos semiconductores. 2. Esta norma cubre requisitos característicos como especificaciones de tamaño, orientación del cristal y defectos superficiales. Esta norma incluye los requisitos técnicos para piezas de prueba pulidas con silicio de todos los diámetros estándar, desde 50,8 mm hasta 300 mm. 3. Para conocer las especificaciones de obleas pulidas de cristal único de silicio con requisitos más altos, como: obleas de silicio para pruebas de partículas, obleas de silicio para pruebas de resolución de fotolitografía y obleas de monitoreo de iones metálicos, etc., consulte SEMI24 "Especificaciones para silicio pulido de alta calidad". Obleas monocristalinas".

GB/T 26065-2010 Documento de referencia

• ASTM F1526 
• GB/T 11073 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
• GB/T 12964 Obleas pulidas de silicio monocristalino*， 2018-09-17 Actualizar
• GB/T 13387 Método de prueba para medir obleas de silicio y otros materiales electrónicos de longitud plana.
• GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
• GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
• GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
• GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
• GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
• GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
• GB/T 1557 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.*， 2018-09-17 Actualizar
• GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)*， 2013-02-15 Actualizar
• GB/T 4058 Método de prueba para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas.
• GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*， 2023-08-06 Actualizar
• GB/T 6618 Método de prueba para el espesor y la variación del espesor total de rodajas de silicio.
• GB/T 6619 Método de prueba para el arco de obleas de silicio.
• GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
• GB/T 6621 Métodos de prueba para determinar la planitud de la superficie de rodajas de silicio.
• GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
• YS/T 26 Método de inspección del contorno del borde de la oblea de silicio*， 2016-07-11 Actualizar

GB/T 26065-2010 Historia

• 2011 GB/T 26065-2010 Especificación para obleas de silicio de prueba pulidas