Esta norma especifica los grados y clasificaciones, requisitos, métodos de prueba, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte, almacenamiento, certificados de calidad y contenido del pedido (o contrato) de obleas grabadas de silicio monocristalino. Esta norma se aplica a las láminas de molienda de monocristal de silicio preparadas mediante el método Czochralski y el método de fusión en zona suspendida (incluida la transmutación de neutrones por fusión en zona y el dopaje en fase gaseosa), y a las láminas grabadas con ácido y con álcali preparadas eliminando la capa de daño superficial con grabado químico. líquido (en lo sucesivo denominado película de corrosión). Los productos se utilizan principalmente para fabricar componentes semiconductores como transistores, rectificadores, tiristores de potencia ultraalta y dispositivos optoelectrónicos, o se procesan posteriormente para obtener obleas de silicio pulidas.
YS/T 1167-2016 Documento de referencia
GB/T 11073 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
GB/T 12962 monocristal de silicio*， 2017-01-01 Actualizar
GB/T 12965 Silicio monocristalino en forma de obleas cortadas y obleas lapeadas*， 2018-09-17 Actualizar
GB/T 13387 Método de prueba para medir obleas de silicio y otros materiales electrónicos de longitud plana.
GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14844 Designaciones de materiales semiconductores.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
GB/T 20503 Anodizado del aluminio y sus aleaciones. Medición de reflectancia especular y brillo especular en ángulos de 20°, 45°, 60° u 85°
GB/T 26067 Método de prueba estándar para dimensiones de muescas en obleas de silicio
GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)
GB/T 29505 Método de prueba para medir la rugosidad de la superficie en superficies planas de oblea de silicio.
GB/T 30453 Colección de metalógrafos para defectos originales del silicio cristalino.
GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*， 2023-08-06 Actualizar
GB/T 6618 Método de prueba para el espesor y la variación del espesor total de rodajas de silicio.
GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
YS/T 26 Método de inspección del contorno del borde de la oblea de silicio