Esta norma especifica los términos, definiciones y requisitos técnicos para las obleas de corte y molienda de monocristal de silicio (denominadas obleas de silicio) con un diámetro de 300 mm, tipo p, orientación del cristal y una resistividad de 0,5 Ω · cm ~ 20 Ω · cm. , métodos de prueba, reglas y señales de inspección, embalaje, transporte, almacenamiento, etc. Esta norma es aplicable a obleas circulares de silicio preparadas cortando y moliendo monocristales de Czochralski con un diámetro de 300 mm. Los productos se procesarán posteriormente para obtener obleas pulidas para la producción de obleas de sustrato para circuitos integrados con un ancho de línea de 90 nm.
GB/T 29508-2013 Documento de referencia
GB/T 11073 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*, 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1551 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua*, 2021-05-21 Actualizar
GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*, 2023-08-06 Actualizar
GB/T 1557 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.*, 2018-09-17 Actualizar
GB/T 1558 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
GB/T 26067 Método de prueba estándar para dimensiones de muescas en obleas de silicio
GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)
GB/T 29507 Método de prueba para medir la planitud, el espesor y la variación del espesor total en obleas de silicio. Escaneo automatizado sin contacto
GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*, 2023-08-06 Actualizar
GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
YS/T 26 Método de inspección del contorno del borde de la oblea de silicio*, 2016-07-11 Actualizar
GB/T 29508-2013 Historia
2013GB/T 29508-2013 Silicio monocristalino de 300 mm en rodajas cortadas y trituradas
GB/T 29508-2013 Silicio monocristalino de 300 mm en rodajas cortadas y trituradas ha sido cambiado a ABNT NBR 14519-2011 Contadores de electricidad electrónicos - Especificaciones.