Esta norma especifica los requisitos, métodos de inspección, reglas de inspección, marcado, embalaje, transporte, almacenamiento, certificado de calidad y contenido del formulario de pedido (o contrato) para escamas recicladas pulidas con silicio. Esta norma se aplica a las obleas de reciclaje de silicio (que incluyen principalmente obleas de silicio pulidas de una o dos caras de 100 mm, 125 mm, 150 mm y 200 mm, obleas de silicio sin pulir u obleas de silicio epitaxiales) proporcionadas por los usuarios o obtenidas de terceros. Oblea pulida preparada mediante pulido superficial. Los productos se utilizan principalmente para monitorear películas en maquinaria, procesamiento de hornos, partículas y fotolitografía. Además, los usuarios deben prestar atención al historial térmico, la contaminación corporal y los depósitos superficiales de las láminas de reciclaje de silicio.
YS/T 985-2014 Documento de referencia
GB/T 11073 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
GB/T 12962 monocristal de silicio*， 2017-01-01 Actualizar
GB/T 12964 Obleas pulidas de silicio monocristalino*， 2018-09-17 Actualizar
GB/T 13387 Método de prueba para medir obleas de silicio y otros materiales electrónicos de longitud plana.
GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
GB/T 14144 Método de prueba para la determinación de la variación radial del oxígeno intersticial en silicio.
GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14844 Designaciones de materiales semiconductores.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
GB/T 1557 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.*， 2018-09-17 Actualizar
GB/T 1558 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
GB/T 19921 Método de prueba para partículas en superficies de obleas de silicio pulidas.*， 2018-12-28 Actualizar
GB/T 19922 Métodos de prueba estándar para medir la planitud del sitio en obleas de silicio mediante escaneo sin contacto
GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)
GB/T 4058 Método de prueba para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas.
GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*， 2023-08-06 Actualizar
GB/T 6618 Método de prueba para el espesor y la variación del espesor total de rodajas de silicio.
GB/T 6619 Método de prueba para el arco de obleas de silicio.
GB/T 6620 Método de prueba para medir la deformación en rodajas de silicio mediante escaneo sin contacto
GB/T 6621 Métodos de prueba para determinar la planitud de la superficie de rodajas de silicio.
GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
YS/T 985-2014 Historia
2014YS/T 985-2014 Obleas de silicio recuperado pulidas