IEC 60311-3:2018
Circuitos integrados – Circuitos integrados tridimensionales – Parte 3: Modelo y condiciones de medición de vías de silicio

Estándar No.

IEC 60311-3:2018

Fecha de publicación

2018

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 60311-3:2018

Alcance

Esta parte de la norma IEC 63011 especifica un modelo de referencia para las características eléctricas de las vías de silicio (TSV) utilizadas para transmitir y recibir datos digitales en circuitos integrados tridimensionales (CI 3D), así como las condiciones de medición de resistencia y capacitancia utilizadas para especificar las características de las TSV en CI 3D. Las especificaciones de CI 3D que abarca este documento son las siguientes: 　•Aplicaciones: consumo digital y móvil; 　•Tensión de funcionamiento: de 0,1 V a 5,0 V; 　•Frecuencia de funcionamiento: inferior a 2,0 GHz. Este documento no describe el equipo de medición. La Figura 1 muestra un ejemplo típico de un sistema de interconexión multichip que se analiza en este documento. Los dispositivos de potencia, los dispositivos de radiofrecuencia (RF) y los sistemas microelectromecánicos (MEMS) quedan fuera del alcance de este documento.

IEC 60311-3:2018 Documento de referencia

• IEC 63011-1 Circuitos integrados - Circuitos integrados tridimensionales - Parte 1: Terminología*， 2018-11-28 Actualizar
• IEC 63011-3:2018 Circuitos integrados - Circuitos integrados tridimensionales - Parte 3: Modelo y condiciones de medición de vías de silicio*， 2018-11-28 Actualizar

IEC 60311-3:2018 Historia

• 2018 IEC 60311-3:2018 Circuitos integrados – Circuitos integrados tridimensionales – Parte 3: Modelo y condiciones de medición de vías de silicio

Temas especiales sobre estándares y normas

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