GB/T 4937.2-2006
Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 4937.2-2006
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2006
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Ultima versión
- GB/T 4937.2-2006
- Reemplazar
- GB/T 4937-1995
- Alcance
- Esta sección se aplica a las pruebas de baja presión para dispositivos semiconductores. El propósito de esta prueba es determinar la capacidad de los componentes y materiales para evitar fallas por falla eléctrica debido al debilitamiento de la rigidez dieléctrica del aire y otros materiales aislantes cuando se reduce la presión. Esta prueba solo es aplicable a dispositivos con un voltaje de funcionamiento superior a 1000 V. Esta prueba es aplicable a todos los dispositivos semiconductores sellados herméticamente. Esta prueba se aplica únicamente a los dominios militar y espacial. El método de prueba de baja presión de aire de este artículo generalmente es consistente con IEC60068-2-13, pero en vista de los requisitos especiales de los dispositivos semiconductores, se utilizan los términos de esta parte.
GB/T 4937.2-2006 Historia
- 2006 GB/T 4937.1-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 1: Generalidades
- 1995 GB/T 4937-1995 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores.
GB/T 4937.2-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire ha sido cambiado a GB/T 4937-1995 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores..
Temas especiales sobre estándares y normas
estándares y especificaciones
GB/T 4937.2-2006 - todas las partes
GB/T 4937.1-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 1: Generalidades
GB/T 4937.11-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 11: Cambio rápido de temperatura. Método de dos baños de fluido.
GB/T 4937.12-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 12: Vibración, frecuencia variable.
GB/T 4937.13-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 13: Atmósfera salina.
GB/T 4937.14-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 14: Robustez de las terminaciones (integridad de los cables).
GB/T 4937.15-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 15: Resistencia a la temperatura de soldadura para dispositivos montados en orificios pasantes.
GB/T 4937.17-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 17: Irradiación de neutrones.
GB/T 4937.18-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 18: Radiación ionizante (dosis total).
GB/T 4937.19-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel.
GB/T 4937.2-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire
GB/T 4937.20-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 20: Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura.
GB/T 4937.201-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 20-1: Manipulación, embalaje, etiquetado y envío de dispositivos de montaje superficial sensibles al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura.
GB/T 4937.21-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 21: Soldabilidad.
GB/T 4937.22-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 22: Fuerza de unión.
GB/T 4937.23-2023 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a altas temperaturas.
GB/T 4937.26-2023 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores Parte 26: Prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas (ESD) Modelo de cuerpo humano (HBM)
GB/T 4937.27-2023 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores Parte 27: Modelo de máquina de prueba de susceptibilidad a descargas electrostáticas (ESD) (MM)
GB/T 4937.3-2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de pruebas mecánicas y climáticas. Parte 3: Examen visual externo.
GB/T 4937.30-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 30: Preacondicionamiento de dispositivos de montaje superficial no herméticos antes de las pruebas de confiabilidad.
GB/T 4937.31-2023 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 31: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos internamente)
GB/T 4937.32-2023 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducida externamente)
GB/T 4937.34-2024 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
GB/T 4937.35-2024 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 35: Examen microscópico acústico de componentes electrónicos encapsulados plásticamente.
GB/T 4937.4-2012v Métodos de prueba climática y mecánica de dispositivos semiconductores Parte 4: Prueba de calor húmedo en estado estacionario altamente acelerado (HAST)
GB/T 4937.42-2023 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 42: Almacenamiento de temperatura y humedad.