GB/T 29506-2013
Obleas de silicio monocristalino pulido de 300 mm (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 29506-2013

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2013

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Ultima versión

GB/T 29506-2013

Alcance

Esta norma especifica los términos y definiciones, requisitos técnicos, métodos de prueba, reglas de detección y signos de obleas pulidas de monocristal de silicio con un diámetro de 300 mm, tipo p, orientación del cristal y una resistividad de 0,5 Ω·cm~20 Ω·. cm. , embalaje, transporte, almacenamiento, etc. Esta norma se aplica a las obleas pulidas de monocristal de silicio preparadas mediante pulido por ambas caras de obleas de molienda de monocristal Czochralski con un diámetro de 300 mm. El producto se utiliza principalmente para sustratos que cumplen con los requisitos técnicos de circuitos integrados IC con un ancho de línea de 90 nm.

GB/T 29506-2013 Documento de referencia

• GB/T 11073 Método estándar para medir la variación de la resistividad radial en rodajas de silicio
• GB/T 13388 Método para medir la orientación cristalográfica de planos en rodajas y obleas de silicio monocristalino mediante técnicas de rayos X.
• GB/T 14140 Método de prueba para medir el diámetro de una oblea semiconductora.
• GB/T 14264 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
• GB/T 1550 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.*， 2018-12-28 Actualizar
• GB/T 1554 Método de prueba para la perfección cristalográfica del silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
• GB/T 1555 Método para determinar la orientación cristalina de un monocristal semiconductor*， 2023-08-06 Actualizar
• GB/T 1557 Método de prueba para determinar el contenido de oxígeno intersticial en silicio mediante absorción infrarroja.*， 2018-09-17 Actualizar
• GB/T 1558 Método de prueba para determinar el contenido de carbono atómico sustitucional del silicio mediante absorción infrarroja
• GB/T 19921 Método de prueba para partículas en superficies de obleas de silicio pulidas.*， 2018-12-28 Actualizar
• GB/T 19922 Métodos de prueba estándar para medir la planitud del sitio en obleas de silicio mediante escaneo sin contacto
• GB/T 24578 Método de prueba para medir la contaminación metálica de la superficie de obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total*， 2015-12-10 Actualizar
• GB/T 26067 Método de prueba estándar para dimensiones de muescas en obleas de silicio
• GB/T 2828.1 Procedimiento de inspección por muestreo de conteo, parte 1: Plan de muestreo de inspección lote por lote recuperado por el límite de calidad de aceptación (AQL)
• GB/T 29504 Silicio monocristalino de 300 mm.
• GB/T 29507 Método de prueba para medir la planitud, el espesor y la variación del espesor total en obleas de silicio. Escaneo automatizado sin contacto
• GB/T 29508 Silicio monocristalino de 300 mm en rodajas cortadas y trituradas
• GB/T 4058 Método de prueba para la detección de defectos inducidos por la oxidación en obleas de silicio pulidas.
• GB/T 6616 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras*， 2023-08-06 Actualizar
• GB/T 6624 Método estándar para medir la calidad superficial de láminas de silicio pulidas mediante inspección visual
• YS/T 26 Método de inspección del contorno del borde de la oblea de silicio*， 2016-07-11 Actualizar
• YS/T 679 Método de fotovoltaje de superficie para medir la longitud de difusión de portadores minoritarios en semiconductores extrínsecos*， 2018-10-22 Actualizar

GB/T 29506-2013 Historia

• 2013 GB/T 29506-2013 Obleas de silicio monocristalino pulido de 300 mm