Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

Dispositivos semiconductores de alta temperatura., Total: 200 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Dispositivos semiconductores de alta temperatura. son: Dispositivos semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Productos de metales no ferrosos., Símbolos gráficos, Materiales semiconductores, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada.

British Standards Institution (BSI), Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

BS IEC 60747-14-5:2010 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
BS EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Almacenamiento a alta temperatura.
BS EN 60749-6:2002 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Almacenamiento a alta temperatura
BS IEC 60747-14-4:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Acelerómetros semiconductores
BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Vida útil a alta temperatura
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Vida útil a alta temperatura
BS IEC 60747-14-2:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Elementos Hall
BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
BS IEC 60747-14-2:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Elementos Hall
BS EN IEC 60747-15:2024 Semiconductor devices - Discrete devices. Isolated power semiconductor devices
BS 3839:1965 Cobre de alta conductividad sin oxígeno para tubos electrónicos y dispositivos semiconductores.
BS EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Dispositivos semiconductores de potencia aislados.
BS IEC 60747-14-3:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos semiconductores. Sensores semiconductores-Sensores de presión
BS EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Dispositivos semiconductores de potencia aislados.
BS IEC 60747-14-1:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Generalidades y clasificación - Generalidades de sensores y clasificación para sensores semiconductores
BS IEC 60747-14-1:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos semiconductores. Sensores semiconductores-General y clasificación-Generales de sensores y clasificación para sensores semiconductores
BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 Dispositivos semiconductores - General
BS IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: evaluación de la fatiga de una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
BS IEC 60747-14-1:2010 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Especificación genérica para sensores
PD IEC/TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores. Estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores
BS PD IEC/TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores. Estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores
BS IEC 60747-1:2006 Dispositivos semiconductores. General
BS 3839:1978 Especificación para cobre de alta conductividad sin oxígeno para tubos electrónicos y dispositivos semiconductores
BS 6493-1.1:1984 Dispositivos semiconductores - Parte 1: Dispositivos discretos - Sección 1.1 Generalidades
BS EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación del cuerpo humano. Requerimientos generales
23/30451654 DC BS EN IEC 60747-15. Dispositivos semiconductores. Parte 15. Dispositivos semiconductores de potencia aislados. Dispositivos discretos
BS EN 60749-25:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Ciclos de temperatura
BS IEC 60747-6:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Tiristores
BS IEC 60747-7:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010+A1:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores bipolares
BS IEC 60747-7:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. transistores bipolares
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS IEC 60747-6:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Tiristores

International Electrotechnical Commission (IEC), Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

IEC 60747-14-5:2010 Dispositivos semiconductores - Parte 14-5: Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
IEC 60749-6:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
IEC 60747-14-4:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
IEC 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
IEC 60747-5-4:2024 Dispositivos semiconductores - Parte 5-4: Dispositivos óptoelectrónicos - Lasers semiconductoros
IEC 60747-15:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
IEC 60747-5-4:2022+AMD1:2024 CSV Semiconductores - Parte 5-4: Dispositivos óptoelectrónicos - Láseres semiconductor
IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
IEC 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
IEC 60747-14-2:2000 Dispositivos semiconductores. Parte 14-2: Sensores semiconductores; Elementos del pasillo
IEC 60747-15:2003 Dispositivos semiconductores discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
IEC 60747-5-4:2022/AMD1:2024 Enmienda 1 - Dispositivos semiconductores - Sección 5-4: Dispositivos óptoelectrónicos - Láseres semiconductor
IEC 60747-14-3:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores; Sensores de presión
IEC 60747-14-1:2000 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores; General y clasificación
IEC 60749-23:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
IEC 60747-14-3:2009 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores. Sensores de presión.
IEC TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores: estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores (Edición 1.0)
IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores flexibles y estirables - Parte 4: Evaluación de la fatiga para una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
IEC 60191-1:1966 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores. Parte 1: Preparación de dibujos de dispositivos semiconductores.
IEC 60747-14-1:2010 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

GB/T 4937-1995 Métodos de prueba mecánicos y climáticos para dispositivos semiconductores.
GB/T 12560-1999 Dispositivos semiconductores Especificación seccional para dispositivos discretos
GB/T 4937.23-2023 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a altas temperaturas.
GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
GB/T 20522-2006 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores. Sensores de presión
GB/T 20521-2006 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. General y clasificación

SCC, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

07/30164953 DC CEI 60747-14-5. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 14-5. Sensores semiconductores. Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
07/30162213 DC BS EN 60747-15. Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos Parte 15. Dispositivos semiconductores de potencia aislados

German Institute for Standardization, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

DIN IEC 60747-14-5 E:2008 Borrador de documento - Dispositivos semiconductores - Parte 14-5: Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN (IEC 47E/353/CD:2007)
DIN IEC 60747-11:1992 Dispositivos semiconductores; especificación seccional para dispositivos semiconductores; idéntico a IEC 60747-11:1985
DIN EN 60749-6:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura (IEC 60749-6:2002); Versión alemana EN 60749-6:2003
DIN EN 60749-6:2017-11 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura (IEC 60749-6:2017); Versión alemana EN 60749-6:2017 / Nota: DIN EN 60749-6 (2003-04) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2020-04-07.
DIN EN 60747-15:2012-08 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2010); Versión alemana EN 60747-15:2012 / Nota: DIN EN 60747-15 (2004-08) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2014-01-20.
DIN EN 60749-23:2011-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida operativa a alta temperatura (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Versión alemana EN 60749-23:2004 + A1:2011 / Nota: DIN EN 60749-23 (2004-10) sigue siendo válida junto con esta norma hasta...
DIN EN 60749-6 E:2016-09 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
DIN EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura (IEC 60749-6:2017); Versión alemana EN 60749-6:2017
DIN EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2003); Versión alemana EN 60747-15:2004

GSO, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

GSO IEC 60747-14-5:2015 Dispositivos semiconductores - Parte 14-5: Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
BH GSO IEC 60747-15:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
OS GSO IEC 60747-15:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
GSO IEC 60747-14-2:2014 Dispositivos semiconductores. Parte 14-2: Sensores semiconductores. Elementos Hall.
OS GSO IEC 60747-5-4:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
BH GSO IEC 60749-23:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
OS GSO IEC 60749-23:2014 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
BH GSO IEC 60747-14-2:2016 Dispositivos semiconductores. Parte 14-2: Sensores semiconductores. Elementos Hall.
BH GSO IEC 60747-5-4:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
OS GSO IEC 60747-14-4:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
BH GSO IEC 60747-14-4:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
OS GSO IEC 60747-14-3:2014 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores. Sensores de presión.
GSO IEC 60747-14-4:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
OS GSO IEC 60747-14-1:2014 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.
GSO IEC 60747-14-1:2014 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.

Defense Logistics Agency, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, diodo, silicio, tipo de alta conductividad JAN- 1N3207
DLA DSCC-DWG-04029-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5927
DLA DSCC-DWG-04030-2005 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N5926
DLA DESC-DWG-84002-1984 DISIPADORES DE CALOR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo Semiconductor, Transistor, PNP, Germanio, Alta Frecuencia, 25 Milivatios, Tipo JAN-2N128
DLA MIL-S-19500/335 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, silicio, referencia de voltaje (temperatura estable) tipo 1N430A, 1N430B
DLA QML-19500-QPD-2010 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-2012 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA MIL-PRF-19500/622 D-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA MIL-PRF-19500/622 C-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N7368 JAN, JANTX, JANTXV Y JANS
DLA QML-19500-QPD-2012 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipo silicio 2N3904

CZ-CSN, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

CSN 35 8701-1975 Terminología de semiconductores y dispositivos semiconductores.
CSN 35 1560-1969 Rectificadores de semiconductores de potencia
CSN 34 5910-1986 Cable de unión de oro para dispositivos semiconductores

Comitato Elettrotecnico Italiano, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

CEI EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
CEI EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
CEI EN 60749-23/A1:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
CEI EN 60749-23:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

KS C IEC 60749-6-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
KS C IEC 60749-6:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
KS C IEC 60749-6:2004 Dispositivos semiconductores-Métodos de prueba mecánicos y climáticos-Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura
KS C IEC 60749-23:2006 Dispositivos semiconductores－Métodos de prueba mecánicos y climáticos－Parte 23: Vida útil a alta temperatura
KS C IEC 60749-23-2006(2016) Dispositivos semiconductores－Métodos de prueba mecánicos y climáticos－Parte 23: Vida útil a alta temperatura
KS C IEC 60749-23:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
KS C IEC 60749-23-2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
KS C IEC 60747-14-1:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificaciones genéricas para sensores.
KS C IEC 60747-14-1:2003 Dispositivos semiconductores－Parte 14－1：Sensores semiconductores－General y clasificación
KS C IEC 60747-14-1-2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificaciones genéricas para sensores.
KS C IEC PAS 62240-2008(2018) Uso de dispositivos semiconductores fuera del rango de temperatura especificado por el fabricante

Danish Standards Foundation, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

DS/EN 60749-6:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
DANSK DS/EN 60749-6:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
DS/EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
DANSK DS/EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
DANSK DS/EN 60749-23/A1:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
DS/EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
DS/EN 60749-23/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.
DANSK DS/EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a alta temperatura.

Military Standards (MIL-STD), Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

MIL MIL-S-19500/340-1965 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PNP, GERMANIO, TIPO DE ALTA POTENCIA 2N2079A
MIL MIL-DTL-19491J-2014 Dispositivos semiconductores, embalaje de
MIL MIL-S-19500/465-1972 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, SILICIO, CONJUNTO DE RECTIFICADOR, ALTO VOLTAJE (SIN DOCUMENTO DE INOX)
MIL MIL-PRF-19500/370J-2018 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta potencia, tipo 2N3442, JAN, JANTX y JANTXV
MIL MIL-PRF-19500/370H-2013 Dispositivo semiconductor, transistor, NPN, silicio, alta potencia, tipo 2N3442, JAN, JANTX y JANTXV
MIL MIL-S-19500/335-1965 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, SILICIO, REFERENCIA DE TENSIÓN (TEMPERATURA ESTABLE) TIPO 1N430A, 1N430B
MIL MIL-PRF-19500/102C-2020 Dispositivo semiconductor, transistores, NPN, silicio, tipos de alta potencia 2N1016B, 2N1016C y 2N1016D JAN
MIL MIL-PRF-19500/102B-2013 Dispositivo semiconductor, transistores, NPN, silicio, tipos de alta potencia 2N1016B, 2N1016C y 2N1016D JAN

Association Francaise de Normalisation, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

NF EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: almacenamiento a alta temperatura.
NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: almacenamiento a alta temperatura.
NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: dispositivos semiconductores aislados de potencia
NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: dispositivos semiconductores de potencia aislados.
NF C96-022-23/A1*NF EN 60749-23/A1:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: vida útil a alta temperatura.
NF C96-022-23*NF EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: vida útil a alta temperatura.
NF C96-015:2005 Dispositivos semiconductores discretos - Parte 15: dispositivos semiconductores de potencia aislados
NF EN 60749-23/A1:2012 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: vida útil a altas temperaturas.
NF EN 60749-23:2004 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: vida útil a altas temperaturas.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Parte 6-16: glosario de pruebas de semiconductores y zócalos de precalentamiento para BGA, LGA, FBGA y FLGA
NF C86-010:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Dispositivos semiconductores discretos. Especificación genérica.

Spanish Association for Standardization (UNE), Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

UNE-EN 60749-6:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
UNE-EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores aislados de potencia (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 60749-23:2005 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a altas temperaturas.
UNE-EN 60749-23:2005/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 23: Vida útil a altas temperaturas.

HU-MSZT, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

MNOSZ 700-10.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA KISH?FOK? LEP?RL?S

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

EN 60749-6:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 6: Almacenamiento a alta temperatura.
EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)

TH-TISI, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

TIS 1863-2009 Dispositivos semiconductores.Dispositivos discretos.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Dispositivos semiconductores de alta temperatura.

EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados

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